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Semi-conducteur Wafer de CdTe de substrat de CdTe de résolution de haute énergie

Certificat
Chine Kinheng Crystal Material (Shanghai) Co., Ltd. certifications
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Semi-conducteur Wafer de CdTe de substrat de CdTe de résolution de haute énergie

Semi-conducteur Wafer de CdTe de substrat de CdTe de résolution de haute énergie
Semi-conducteur Wafer de CdTe de substrat de CdTe de résolution de haute énergie

Image Grand :  Semi-conducteur Wafer de CdTe de substrat de CdTe de résolution de haute énergie

Détails sur le produit:
Lieu d'origine: La Chine
Nom de marque: Kinheng
Certification: ISO
Conditions de paiement et expédition:
Quantité de commande min: 1pc
Prix: Negotiable
Détails d'emballage: boîte de mousse
Délai de livraison: 4-6 semaines
Conditions de paiement: T/T, Paypal
Capacité d'approvisionnement: 10000pcs/year

Semi-conducteur Wafer de CdTe de substrat de CdTe de résolution de haute énergie

description de
Cristal: CdTe Croissance Mehod: PVT
Structure: Cubique Trellis (a) constant: a = 6,483
Densité (g/cm3): 5,851 Point de fusion (℃): 1047
Capacité de chaleur (J /g.k): 0,210 Expans thermique. (10-6/K): 5,0
Surligner:

Substrat de CdTe de résolution de haute énergie

,

Gaufrette de semi-conducteur cubique

,

Substrat de PVT CdTe

Gaufrette de semi-conducteur de CdTe de substrat de CdTe de résolution de haute énergie

 

CdTe (tellurure de cadmium) est un excellent candidat matériel pour l'efficacité élevée de détection et la bonne résolution d'énergie dans des détecteurs de rayonnement nucléaire de température ambiante.

Le substrat de CdTe est un matériel important de semi-conducteur composé de groupe d'II-VI, et sa structure cristalline est sphalérite, avec une structure de bande d'énergie de transition directe.

Le coût de production de piles solaires de la couche mince de CdTe est beaucoup inférieur à d'autres matériaux, et il est compatible au spectre solaire, qui peut absorber plus de 95% de lumière du soleil. Sur la base de la recherche d'application étendue et en profondeur, les batteries de CdTe ont commencé à mesurer la production industrielle à partir de l'étape de recherches de laboratoire dans beaucoup de pays dans le monde.

 

Propriétés :

 

Cristal CdTe
Croissance Mehod PVT
Structure Cubique
Trellis (a) constant a = 6,483
Densité (g/cm3) 5,851
Point de fusion () 1047
Capacité de chaleur (J /g.k) 0,210
Expans thermique. (10-6 /K) 5,0
Conduction thermique (W /m.k à 300K) 6,3
Longueur d'onde transparente (um) 0,85 | 29,9 (>66%)
Indice de réfraction 2,72
E-OCoeff. (m/v) à 10,6 6.8x10-12


 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Avantage :

résolution d'énergie 1.High

2.Imaging et application de détection

 

Tirs de produit :

Semi-conducteur Wafer de CdTe de substrat de CdTe de résolution de haute énergie 0

 

FAQ :

1.Q : Êtes-vous un fabricant d'usine ?

: Oui, nous sommes fabricant avec 13 ans d'expérience de l'industrie en cristal de scintillator et avons fourni beaucoup de marques célèbres la bonne qualité et le service.

 

2.Q : Où est votre marché principal ?

: L'Europe, Amérique, Asie.

 

 

 

 

Coordonnées
Kinheng Crystal Material (Shanghai) Co., Ltd.

Personne à contacter: Ivan. wang

Téléphone: 18964119345

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