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Semi-conducteur Crystal Wafer Sensor Solar Cell de GE et applications infrarouges d'optique

Name: Semi-conducteur Crystal Wafer Sensor Solar Cell de GE et applications infrarouges d'optique
Brand: Kinheng
SKU: Kinheng
Price: 1.00 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (122 reviews)

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Semi-conducteur Crystal Wafer Sensor Solar Cell de GE et applications infrarouges d'optique

Image Grand : Semi-conducteur Crystal Wafer Sensor Solar Cell de GE et applications infrarouges d'optique

Détails sur le produit:

Lieu d'origine:	La Chine
Nom de marque:	Kinheng
Certification:	ISO

Conditions de paiement et expédition:

Quantité de commande min:	1pc
Prix:	Negotiable
Détails d'emballage:	boîte de mousse
Délai de livraison:	4-6 semaines
Conditions de paiement:	T/T, Paypal
Capacité d'approvisionnement:	10000pcs/year

Contact

Semi-conducteur Crystal Wafer Sensor Solar Cell de GE et applications infrarouges d'optique

description de

Nom de produit:	Gaufrette de semi-conducteur de GE	formule chimique:	GE
Taille:	10x3,10x5,10x10,15x15, 20x15,20x20, dia2 » X 0.33mm dia2 » X 0.43mm 15 x 15 millimètres	Épaisseur:	0.5mm, 1.0mm
Application:	Dispositif de semi-conducteur, la microélectronique, capteur, pile solaire, optique d'IR.	Avantage:	Excellentes propriétés cristallographiques et propriétés électriques uniques
Structure en cristal:	Cubique	Paramètre de trellis:	a=0.565754
conduction thermique:	59,9
Surligner:	semi-conducteur Crystal Wafer de 0.5mm , gaufrette de GE de 1.0mm , Semi-conducteur Crystal Wafer

Pile solaire de capteur et gaufrette de semi-conducteur infrarouge de GE d'applications d'optique

La gaufrette de semi-conducteur de GE est une élémentaire et le matériel populaire de semi-conducteur, due à ses excellentes propriétés cristallographiques et à propriétés électriques uniques, gaufrette de GE est widly employé dans le capteur, la pile solaire et les applications infrarouges d'optique.

Propriétés :

Méthode de croissance	Méthode de Czochralski
Crystal Structure	M3
Constante de cellules d'unité	a=5.65754 Å
Densité (g/cm3)	5,323
Point de fusion (℃)	937,4
Matériel enduit	Aucun enduit	Sb-enduit	Dans/GA – enduit
Type	/	N	P
Résistivité	>35Ωcm	0.05Ωcm	0.05~0.1Ωcm
EPD	<4×103∕cm2	<4×103∕cm2	<4×103∕cm2
Taille	10x3,10x5,10x10,15x15, 20x15,20x20,
	dia2 » X 0.33mm dia2 » X 0.43mm 15 x 15 millimètres
Épaisseur	0.5mm, 1.0mm
Polonais	Simple ou double
Crystal Orientation	<100><110><111>, ±0.5º
Ra	≤5Å (5µm×5µm)

Avantage :

1.Sb/N a enduit

dopage 2.No

3.Semiconductor

Tirs de produit :

Semi-conducteur Crystal Wafer Sensor Solar Cell de GE et applications infrarouges d'optique 0

FAQ :

1.Q : Êtes-vous un fabricant d'usine ?

: Oui, nous sommes fabricant avec 13 ans d'expérience de l'industrie en cristal de scintillator et avons fourni beaucoup de marques célèbres la bonne qualité et le service.

2.Q : Où est votre marché principal ?

: L'Europe, Amérique, Asie.

Produit Tag:

Personne à contacter: Ivan. wang

Téléphone: 18964119345

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Choix enduit: Aucun, SI, Cr, Fe, Zn

Tailles (millimètres): 10x10mm

Aspérité: Aspérité (Ra) : <= 5A

Polonais: Côté simple ou double poli (la norme est SSP)

Infrarouge de gaufrette de semi-conducteur de GE de substrat de GE et industrie d'IC

Méthode de croissance: Méthode de Czochralski

Structure en cristal: M3

Constante de cellules d'unité: a=5.65754 Å

Densité (g/cm3): 5,323

Excellent substrat thermique de gaufrette de carbure de silicium de propriétés mécaniques sic

Article: 2 pouces 4H de type n

diamètre: 2inch (50.8mm)

Épaisseur: 350+/-25um

Orientation: outre de l'axe 4.0˚ vers le ± 0.5˚ de <1120>

Sic efficacité forte de vitesse rapide de gaufrette de semi-conducteur petite grande rentable

Nom de produit: Sic substrat, sic gaufrette de semi-conducteur

Nom et prénoms: Carbure de silicium Crystal Substrate

formule chimique: Sic

Catégorie 1: Catégorie de production

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