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Mho de Sapphire Crystal Wafer 9 de substrat de 0,5 millimètres 1,0 millimètre Al2O3

Certificat
Chine Kinheng Crystal Material (Shanghai) Co., Ltd. certifications
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Mho de Sapphire Crystal Wafer 9 de substrat de 0,5 millimètres 1,0 millimètre Al2O3

Mho de Sapphire Crystal Wafer 9 de substrat de 0,5 millimètres 1,0 millimètre Al2O3
Mho de Sapphire Crystal Wafer 9 de substrat de 0,5 millimètres 1,0 millimètre Al2O3

Image Grand :  Mho de Sapphire Crystal Wafer 9 de substrat de 0,5 millimètres 1,0 millimètre Al2O3

Détails sur le produit:
Lieu d'origine: La Chine
Nom de marque: Kinheng
Certification: ISO
Conditions de paiement et expédition:
Quantité de commande min: 1pc
Prix: Negotiable
Détails d'emballage: boîte de mousse
Délai de livraison: 4-6 semaines
Conditions de paiement: T/T, Paypal
Capacité d'approvisionnement: 10000pcs/year

Mho de Sapphire Crystal Wafer 9 de substrat de 0,5 millimètres 1,0 millimètre Al2O3

description de
Nom de produit: Al2O3 substrat, gaufrette de Sapphire Crystal formule chimique: Al2O3
Taille: 10x3, 10x5, 10x10, 15x15, 20x15, 20x20, Dia15, diamètre 20, diamètre 1" Épaisseur: 0,5 millimètres, 1,0 millimètres
Poli: SSP ou DSP Constante de trellis: a=4.748Å c=12.97Å
Angle de cristallin: La taille et l'orientation spéciales sont disponibles sur demande Ra: ≤5Å (5µm×5µm)
Surligner:

1

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0 millimètres Sapphire Crystal Wafer

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9 substrat du Mho Al2O3

Gaufrette à hautes températures de Sapphire Crystal de substrat de résistance et de dureté Al2O3

 

Le cristal de saphir a de bonnes propriétés thermiques, excellentes propriétés électriques et propriétés diélectriques, et la bonne thermostabilité, conduction thermique, perméabilité infrarouge, stabilité chimique, dureté élevée, corrosion d'anti-produit chimique, le saphir, Al2O3 sont très utilisée dans industriel, la défense nationale et la recherche scientifique (telle que les fenêtres infrarouges à hautes températures, etc.). C'est également une utilisation étendue en matériel monocristallin de substrat.

 

Propriétés :

 

 
Crystal Purity > 99,99%
Point de fonte (℃) 2040
Densité (g/cm3) 3,98
Dureté (Mho) 9
Dilatation thermique 7,5 (x10-6/OC)
La chaleur spécifique 0,10 (calorie/OC)
Conduction thermique 46,06 @ 0 OC 25,12 @ 100 OC, 12,56 @ 400 OC (avec (m.K))
Constante diélectrique | 9,4 @300K à un axe | 11.58@ 300K à l'axe de C
Tangente de perte à 10 gigahertz < 2x10="">-5 à un axe, <5 x10="">-5 à l'axe de C

 

 

Avantage :

conduction 1.Heat
dureté 2.High
transmission 3.Infrared
stabilité 4.Good chimique

 

Tirs de produit :

 

Mho de Sapphire Crystal Wafer 9 de substrat de 0,5 millimètres 1,0 millimètre Al2O3 0

 

FAQ :

1.Q : Êtes-vous un fabricant d'usine ?

: Oui, nous sommes fabricant avec 13 ans d'expérience de l'industrie en cristal de scintillator et avons fourni beaucoup de marques célèbres la bonne qualité et le service.

 

2.Q : Où est votre marché principal ?

: L'Europe, Amérique, Asie.

 

Coordonnées
Kinheng Crystal Material (Shanghai) Co., Ltd.

Personne à contacter: Ivan. wang

Téléphone: 18964119345

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