Lecture de photodiode de haute énergie de détecteur de scintillator de GAGG
Ce : Uesd en cristal de cristaux de scintillation de GAGG Scintillator A pour la détection à haute précision
Le cérium a enduit les cristaux à plusieurs éléments de grenat de gallium d'aluminium de gadolinium, référés comme ce : GAGG avec la formule chimique du ce : Gd3Al2Ga3O12, appartiennent aux découvertes les plus importantes qui offrent d'excellentes propriétés de scintillation aussi bien qu'ont accédées au marché de scintillator pendant la décennie actuelle. Le nombre atomique efficace est 54,4, et la longueur d'onde maximale de spectre d'émission est 520 nanomètre. Indépendamment du rendement léger élevé, la bonne résolution d'énergie, le nombre atomique efficace élevé, la réponse rapide de scintillation, la rugosité chimique de stabilité aussi et la capacité de la grande cristallogénèse sont les propriétés très importantes pour le ce : Cristaux de GAGG aussi bien. Les linéarités de la réponse sur le ce gamma d'expositions de quanta : Les cristaux de GAGG est un candidat prometteur pour des techniques d'imagerie médicale, telles que la radiographie de rayon X, la tomodensitométrie (CT), tomographie d'émission de positons (ANIMAL FAMILIER). Des scintillators de monocristal sont fréquemment employés pour balayer la microscopie électronique (SEM).
1. Paramètres d'optimisation du traitement des différents matériaux :
| Matériel de Scintillator |
CsI (Tl) |
CdWO4 |
GAGG : Ce |
Gos : Pr/Tb en céramique |
Gos : Film de TB |
| Rendement léger |
54000 |
12000 |
50000 |
27000/45000 |
145% de la haute de DRZ |
| Postluminescence (après 30ms) |
0.6-0.8% |
0,1% |
0.1-0.2% |
0.01%/0.03% |
0,008% |
| Temps de délabrement (NS) |
1000 |
14000 |
48, 90, 150 |
3000 |
3000 |
| Hygroscopique |
Légèrement |
Aucun |
Aucun |
Aucun |
Aucun |
| Chaîne d'énergie |
Basse énergie |
Haute énergie |
Haute énergie |
Haute énergie |
Basse énergie |
| Coûts globaux |
Le bas |
Haut |
Milieu |
Haut |
Le bas |
2 paramètres d'optimisation du traitement de.PD
- Paramètres de limite :
| Indexez |
Symbole |
Valeur |
Unité |
| Max Reverse Voltage |
Vrmax |
10 |
v |
| La température d'opération |
Dessus |
-10 -- +60 |
°C |
| Température de stockage |
Essai |
-20 -- +70 |
°C |
- Caractéristiques photoélectriques de palladium :
| Paramètre |
Symbole |
Terme |
Valeur typique |
Maximum |
Unité |
| Gammes de réponse spectrale |
λp |
|
350-1000 |
- |
nanomètre |
| Longueur d'onde maximale de réponse |
λ |
|
800 |
- |
nanomètre |
| Photosensibilité |
S |
λ=550 |
0,44 |
- |
A/W |
| λp=800 |
0,64 |
| Courant d'obscurité |
Identification |
Vr=10mV |
3 - 5 |
10 |
PA |
| Capacité de pixel |
Ct |
Vr=0, f=10kHz |
40 - 50 |
70 |
PF |
Dessinde détecteur de 3.PD
(P1.6mm CsI) (de Tl/gos : Détecteur de TB)
Détecteur /CdWO4 (de P2.5mm GAGG/CsI (Tl))
Tirs de produit :
FAQ :
1.Q : Queest-ce que le nombre et la dimension de pixel pour le détecteur de revêtement de GAGG est disponible ?
: Kinheng a la capacité de traiter le lancement 0,4, 0,78, 1,575, 2.5mm pour le détecteur de revêtement, habituellement nous offrent la rangée d'éléments du revêtement 1x16 pour l'accouplement de palladium.
2.Q : Où est votre marché principal ?
: L'Europe, Amérique, Asie.
Votre message doit contenir entre 20 et 3 000 caractères!
