Aperçu Produits gaufrette de semi-conducteur

Substrat de PMN-PT Crystal Semiconductor Wafer Single Crystal

Name: Substrat de PMN-PT Crystal Semiconductor Wafer Single Crystal
Brand: Kinheng
SKU: Kinheng
Price: 1.00 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (128 reviews)

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Certificat

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Substrat de PMN-PT Crystal Semiconductor Wafer Single Crystal

Image Grand : Substrat de PMN-PT Crystal Semiconductor Wafer Single Crystal

Détails sur le produit:

Lieu d'origine:	La Chine
Nom de marque:	Kinheng
Certification:	ISO

Conditions de paiement et expédition:

Quantité de commande min:	1pc
Prix:	Negotiable
Détails d'emballage:	boîte de mousse
Délai de livraison:	4-6 semaines
Conditions de paiement:	T/T, Paypal
Capacité d'approvisionnement:	10000pcs/year

Contact

Substrat de PMN-PT Crystal Semiconductor Wafer Single Crystal

description de

Structure:	R3m, Rhomboédrique	trellis:	a0 ~ 4,024Å
Point de fusion(℃):	1280	Densité (g/cm3):	8.1
Coefficient piézoélectrique d33:	>2000 pC/N	Perte diélectrique:	bronzage d <0,9
Composition chimique:	(PbMg 0,33 Nb 0,67)1-x : (PbTiO3)x	Composition:	près de la limite de phase morphotrope
Surligner:	Gaufrette de semi-conducteur de PMN-PT , Substrat de monocristal de R3m , Gaufrette de semi-conducteur de Kinheng

Haut substrat de accouplement électromécanique de monocristal du coefficient PMN-PT

Le cristal de PMN-PT est connu pour son coefficient de accouplement électromécanique extrêmement élevé, coefficient piézoélectrique élevé, tension élevée et basse perte diélectrique.

Propriétés :

Composition chimique	(PbMg 0,33 NOTA: 0,67) 1-x : (PbTiO3) x
Structure	R3m, rhomboédrique
Trellis	a0 \| 4.024Å
Point de fusion (℃)	1280
Densité (g/cm3)	8,1
Coefficient piézoélectrique d33	>2000 pC/N
Perte diélectrique	d bronzage <0>
Composition	près de la frontière morphotropic de phase

Avantage :

douceur 1.High
assortiment de trellis 2.High (MCT)
densité de dislocation 3.Low
transmittance 4.High infrarouge

Tirs de produit :

Substrat de PMN-PT Crystal Semiconductor Wafer Single Crystal 0

FAQ :

1.Q : Êtes-vous un fabricant d'usine ?

: Oui, nous sommes fabricant avec 13 ans d'expérience de l'industrie en cristal de scintillator et avons fourni beaucoup de marques célèbres la bonne qualité et le service.

2.Q : Où est votre marché principal ?

: L'Europe, Amérique, Asie.

Produit Tag:

Personne à contacter: Ivan. wang

Téléphone: 18964119345

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Cristal: CdZnTe CZT

Type de conductivité: Type de P

Orientation: (211), (111)

Résistivité: >106Ω.Cm

Haut substrat infrarouge Crystal Substrate simple de la transmittance GaAs

Choix enduit: Aucun, SI, Cr, Fe, Zn

Tailles (millimètres): 10x10mm

Aspérité: Aspérité (Ra) : <= 5A

Polonais: Côté simple ou double poli (la norme est SSP)

Infrarouge de gaufrette de semi-conducteur de GE de substrat de GE et industrie d'IC

Méthode de croissance: Méthode de Czochralski

Structure en cristal: M3

Constante de cellules d'unité: a=5.65754 Å

Densité (g/cm3): 5,323

Excellent substrat thermique de gaufrette de carbure de silicium de propriétés mécaniques sic

Article: 2 pouces 4H de type n

diamètre: 2inch (50.8mm)

Épaisseur: 350+/-25um

Orientation: outre de l'axe 4.0˚ vers le ± 0.5˚ de <1120>

Sic efficacité forte de vitesse rapide de gaufrette de semi-conducteur petite grande rentable

Nom de produit: Sic substrat, sic gaufrette de semi-conducteur

Nom et prénoms: Carbure de silicium Crystal Substrate

formule chimique: Sic

Catégorie 1: Catégorie de production

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