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DERNIÈRE méthode de croissance de Czochralski de substrat de cristal non cristallin de perovskite

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Certificat
Chine Kinheng Crystal Material (Shanghai) Co., Ltd. certifications
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DERNIÈRE méthode de croissance de Czochralski de substrat de cristal non cristallin de perovskite

DERNIÈRE méthode de croissance de Czochralski de substrat de cristal non cristallin de perovskite
DERNIÈRE méthode de croissance de Czochralski de substrat de cristal non cristallin de perovskite

Image Grand :  DERNIÈRE méthode de croissance de Czochralski de substrat de cristal non cristallin de perovskite

Détails sur le produit:
Lieu d'origine: La Chine
Nom de marque: Kinheng
Certification: ISO
Conditions de paiement et expédition:
Quantité de commande min: 1pc
Prix: Negotiable
Détails d'emballage: boîte de mousse
Délai de livraison: 4-6 semaines
Conditions de paiement: T/T, Paypal
Capacité d'approvisionnement: 10000pcs/year
Contact

DERNIÈRE méthode de croissance de Czochralski de substrat de cristal non cristallin de perovskite

description de
Méthode de croissance: Czochralski Nom de produit: DERNIER substrat
Nom et prénoms: Substrat en aluminium de monocristal de tantalate de Lanthane-strontium formule chimique: (LaAlO3) 0,3 (Sr2TaAlO6) 0,7 ou (La0.18Sr0.82) (Al0.59Ta0.41) O3
Crystal Orientatio: (100), (110), (111) Épaisseur: 0.5mm et 1.0mm disponibles
Polonais extérieur: Polissage latéral simple, double polissage latéral Rugosité: Ra < 0,5 nanomètres
Surligner:

DERNIER substrat Czochralski

,

Cristal non cristallin de perovskite

,

DERNIER substrat 6.5Mho

Substrat en cristal de monocristal de substrat de perovskite non cristalline DERNIER

 

A POUR LA DERNIÈRE FOIS la structure cristalline de perovskite, et elle est utilisée généralement comme substrat de monocristal pour la croissance de la structure cubique mince épitaxiale de films.LAST et le paramètre de trellis de 3,868 Å le rend compatible pour la croissance épitaxiale d'un large éventail de couche mince d'oxyde de perovskite avec une tension relativement basse.

 

Propriétés :

 

Méthode de croissance Croissance de la CZ
Crystal System Cubique
Constante cristallographique de trellis a= 3,868 A
Densité (g/cm3) 6,74
Point de fusion (℃) 1840
Dureté (Mho) 6,5
Conduction thermique 10x10-6 K

 

Avantage :

1. Supraconducteurs à hautes températures

 

Tirs de produit :

DERNIÈRE méthode de croissance de Czochralski de substrat de cristal non cristallin de perovskite 0

 

FAQ :

1.Q : Êtes-vous un fabricant d'usine ?

: Oui, nous sommes fabricant avec 13 ans d'expérience de l'industrie en cristal de scintillator et avons fourni beaucoup de marques célèbres la bonne qualité et le service.

 

2.Q : Où est votre marché principal ?

: L'Europe, Amérique, Asie.

Produit Tag:

Substrat du monocristal MgAl2O4,

Substrat cubique de monocristal,

M3 Crystal Substrate simple

Coordonnées
Kinheng Crystal Material (Shanghai) Co., Ltd.

Personne à contacter: Ivan. wang

Téléphone: 18964119345

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